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  • 発行/2011年5月
  • 定価/80,000円(税別)
  • 体裁/A4判・373頁
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★ ナノインプリント技術を61(一部本書独自の呼称)に分類,解析!
★ 基礎技術から応用まで3,577件の特許公報を精査,出願人(法人,個人)数は国内310,外国320!
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書籍の詳細項目
刊行にあたって
半導体デバイスや記録媒体,光学デバイスから電子ディスプレイ,μTAS・MEMSまで,微細パターン形成技術は基幹的な工業技術となっている。より微細でより簡易なパターン形成加工技術の確立が求められてきた。 「ナノインプリントリソグラフィー」というナノサイズの微細凹凸パターン形成技術が,S.Y.Chouらにより提唱されたのは,1996年である。同技術はプレス装置を用いた従来のホットエンボス技術を,リソグラフィーに応用したものである。今までの代表的なリソグラフィー技術であるフォトリソグラフィーにおける露光・現像工程を不要とし,大幅なプロセスの簡略化が図られる。さらに紫外線利用のフォトリソグラフィー以上に超微細な凹凸パターンの形成を可能とするものだった。その革新性は,世界を驚嘆させた。Chouらによる提唱から10余年にすぎない今日,すでにナノインプリント装置も発売され,多くの関連新技術も次々と提案され,技術開発は全世界的な動きとなっている。 微細加工技術は日本企業が得意とするものであり,それを支える周辺産業も充実している。多くの研究機関,大学,企業の取組みも活発になっている。ナノインプリント産業が日本の基幹産業の一翼として,また日本ならではの先進技術として発展することが期待される。 本書は,熱ナノインプリント,光ナノインプリント,およびマイクロコンタクトプリントなどの基幹技術に止まらず,そこから派生する数多くの提案技術にも注目し,関連特許公報の精査,解析により,ナノインプリント技術の発展の全貌を明らかにするとともに,今後の展望をみたものである。関連産業に携わる企業の方々,研究に関わる方々,これらの技術に注目されている方々に本書のご一読をお勧めする。
◆目次と内容

第1編 ナノインプリントの技術と展開

1章 ナノインプリントの開発

  • 1. 微細凹凸パターン形成方法
  • 1.1 型転写法
  • 1.1.1 射出成形法
  • 1.1.2 プレス成形法
  • 1.1.3 注型成形法
  • 1.2 フォトリソグラフィ
  • 2. ナノインプリントの開発と技術
  • 2.1 熱ナノインプリント
  • 2.2 光ナノインプリント
  • 2.3 ソフトリソグラフィ
  • 3. ナノインプリント技術の分類と種類
  • 4. ナノインプリントの応用
  • 4.1 応用分野
  • 4.1.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 4.1.2 バイオ,ライフサイエンス関連
  • 4.1.3 環境,エネルギー関連
  • 4.1.4 その他
  • 5. ナノインプリントの関連文献

第2編 ナノインプリントの特許

  • 1. 関連特許の調査解析対象
  • 1.1 調査解析の対象
  • 1.2 関連用語
  • 2. 特許動向の概要
  • 3. 主要特許とパテントファミリー

第3編 ナノインプリントの技術と特許動向

3章 熱ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.1.1 プレス方法
  • 2.1.2 離型方法
  • 2.2 転写材料
  • 2.2.1 樹脂
  • 2.2.2 添加剤
  • 2.2.3 物性
  • 2.2.4 複層転写層
  • 2.3 モールド
  • 2.3.1 形状
  • 2.3.2 特性
  • 2.3.3 被覆層
  • 2.3.4 複層構造
  • 2.3.5 作成方法
  • 2.4 離型剤
  • 2.5 転写装置
  • 2.5.1 複数のモールド,基板
  • 2.5.2 プレス装置
  • 2.5.3 加熱・冷却装置
  • 2.5.4 モールド・基板支持部材
  • 2.5.5 周辺制御装置・機構
  • 2.6 応用
  • 2.6.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.6.2 バイオ,ライフサイエンス関連
  • 2.6.3 環境,エネルギー関連
  • 2.6.4 その他

4章 光ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.1.1 転写方法
  • 2.1.2 転写材料の塗布
  • 2.1.3 プレス方法
  • 2.2 転写材料
  • 2.2.1 転写材料
  • 2.2.2 添加剤
  • 2.2.3 材料特性
  • 2.2.4 転写層上の機能層
  • 2.3 モールド
  • 2.3.1 形状
  • 2.3.2 材料
  • 2.3.3 被覆層
  • 2.3.4 複層構造
  • 2.3.5 補助構造
  • 2.3.6 作成方法
  • 2.3.7 周辺部材
  • 2.4 転写装置
  • 2.4.1 転写材料の塗布装置
  • 2.4.2 位置決め装置,機構
  • 2.4.3 照射装置
  • 2.5 転写後の処理
  • 2.6 応用
  • 2.6.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.6.2 その他

5章 超音波支援型熱ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

6章 電磁波支援型熱ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

7章 常温ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写装置
  • 2.3 応用

8章 溶媒補助型ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

9章 加圧気体浸透型ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

10章 近接場光型光ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

11章 定温ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料

12章 フォトリソグラフィ複合型光ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料
  • 2.3 モールド
  • 2.4 応用

13章 ドライフィルムレジスト型ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料
  • 2.3 応用

14章 軟化剤除去型ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

15章 モールド分解型ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 モールド

16章 フレキシブルナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 応用

17章 高温焼成型ゾルゲルナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写材料
  • 2.2 モールド
  • 2.3 応用
  • 2.3.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.3.2 環境,エネルギー関連

18章 室温ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料
  • 2.3 転写装置
  • 2.4 応用
  • 2.4.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.4.2 バイオ,ライフサイエンス関連
  • 2.4.3 その他

19章 光硬質型室温ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

20章 乾燥膜刻印型ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料

21章 樹脂溶出型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

22章 キャビティ内重合型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

23章 硬質モールド型毛細管マイクロモールド(硬質型MIMIC)

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

24章 硬質モールド型毛細管力リソグラフィ(硬質M型CFL)

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 モールド

25章 ギャップ充填型毛細管力リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

26章 リバーサルナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 応用

27章 ナノキャスティング

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料
  • 2.3 モールド

28章 液状転写層型ナノキャスティング

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

29章 硬質モールド型マイクロコンタクトプリント(硬質M型μCP)

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

30章 カソードトランスファー

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料

31章 無機薄膜型リバーサルナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

32章 コールドウェルディングリソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 応用

33章 堆積型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

34章 静電引力型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

35章 Aレジストナノインプリント/共通

  • 1. 特許展開
  • 1.1 転写技術
  • 1.1.1 プレス方法
  • 1.1.2 モールドの圧入構造
  • 1.1.3 モールド,基板の組合わせ
  • 1.1.4 離型方法
  • 1.2 転写材料
  • 1.2.1 転写材料
  • 1.2.2 転写層
  • 1.3 モールド
  • 1.3.1 材料
  • 1.3.2 形状
  • 1.3.3 被覆層
  • 1.3.4 複層構造
  • 1.3.5 補助構造体
  • 1.3.6 作成方法
  • 1.3.7 修復,クリーニング
  • 1.4 離型剤
  • 1.4.1 有機系
  • 1.4.2 無機系
  • 1.5 転写装置
  • 1.5.1 転写材料関連
  • 1.5.2 モールド関連
  • 1.5.3 基板支持関連
  • 1.5.4 圧力環境
  • 1.5.5 離型関連
  • 1.5.6 その他
  • 1.6 離型後の処理
  • 1.7 応用
  • 1.7.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 1.7.2 バイオ,ライフサイエンス関連
  • 1.7.3 環境,エネルギー関連
  • 1.7.4 その他

36章 直接ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料
  • 2.3 モールド
  • 2.4 応用
  • 2.4.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.4.2 バイオ,ライフサイエンス関連
  • 2.4.3 その他

37章 加熱型直接ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料
  • 2.3 モールド
  • 2.4 転写装置
  • 2.5 応用
  • 2.5.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.5.2 その他

38章 静電引力型直接ナノインプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

39章 AレジストナノインプリントとB直接ナノインプリント/共通

  • 1. 特許展開
  • 1.1 転写技術
  • 1.2 モールド
  • 1.2.1 材料
  • 1.2.2 形状
  • 1.2.3 複層構造
  • 1.2.4 表面特性
  • 1.2.5 製造方法
  • 1.2.6 補修,洗浄
  • 1.3 転写装置
  • 1.4 応用
  • 1.4.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 1.4.2 環境・エネルギー関連
  • 1.4.3 その他

40章 マイクロコンタクトプリント(μCP)

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料
  • 2.3 モールド
  • 2.3.1 材料
  • 2.3.2 形状,構造
  • 2.3.3 表面処理・加工
  • 2.3.4 作成方法
  • 2.4 転写装置
  • 2.5 応用
  • 2.5.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.5.2 バイオ,ライフサイエンス関連
  • 2.5.3 環境・エネルギー関連
  • 2.5.4 その他

41章 マイクロトランスファーモールド(μTM)

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 応用

42章 ナノトランスファープリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 応用

43章 ガス圧支援型マイクロコンタクトプリント

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

44章 毛細管マイクロモールド

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 モールド
  • 2.3 応用
  • 2.3.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.3.2 バイオ,ライフサイエンス関連
  • 2.3.3 その他

45章 溶媒促進マイクロモールド

46章 毛細管力ソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 応用

47章 エッジトランスファーリソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

48章 加圧充填型ソフトリソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

49章 レプリカモールド

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 応用
  • 2.2.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.2.2 バイオ,ミカルス関連

50章 リキッドエンボス

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料
  • 2.3 応用
  • 2.3.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 2.3.2 その他

51章 リフトアップリソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

52章 ディーカルトランスファーリソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 応用

53章 フォトリソグラフィ複合型ソフトリソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

54章 近接場位相シフトリソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

55章 表面改質型ソフトリソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

56章 Cソフトリソグラフィ/共通

  • 1. 特許展開
  • 1.1 転写技術
  • 1.2 モールド
  • 1.2.1 材料
  • 1.2.2 形状,構造
  • 1.2.3 作成方法
  • 1.2.4 補助部材
  • 1.3 応用
  • 1.3.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 1.3.2 バイオ,ライフサイエンス関連
  • 1.3.3 環境,エネルギー関連
  • 1.3.4 その他

57章 AレジストナノインプリントとCソフトリソグラフィ/共通

  • 1. 特許展開
  • 1.1 転写材料
  • 1.2 モールド
  • 1.3 転写装置
  • 1.4 応用
  • 1.4.1 IT,エレクトロニクス関連
  • 1.4.2 バイオ,ケミカルス関連
  • 1.4.3 環境・エネルギー関連
  • 1.4.4 その他

58章 化学的変性型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

59章 ナノ電極リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 転写材料
  • 2.3 モールド
  • 2.4 転写装置
  • 2.5 応用

60章 帯電リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 モールド
  • 2.3 応用

61章 磁性変性型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

62章 結晶性変性型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

63章 加圧相変性型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

64章 プラズマエッチング型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術

65章 光触媒リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開
  • 2.1 転写技術
  • 2.2 応用

66章 燃焼除去型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

67章 昇華除去型リソグラフィ

  • 1. 概要
  • 2. 特許展開

第4編 主要企業の特許展開

68章 主要企業の特許展開

  • 1. セイコーエプソン
  • 2. キヤノン
  • 3. 東芝
  • 4. TDK
  • 5. リコー
  • 6. 富士フイルム
  • 7. 凸版印刷
  • 8. フィリップス
  • 9. 富士ゼロックス
  • 10. パナソニック

69章 大学研究者の出願動向

第5編 関連特許公報一覧

70章 関連特許公報一覧

  • 1. 関連特許公報一覧の作表基準
  • 2. 年別公開・公表・再公表特許公報一覧
  • 3. 公開・公表・再公表番号-登録番号対照
  • 4. 登録番号-公開・公表・再公表番号対照

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